用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e－SiGe

摘要

描述了半导体器件结构和制作该结构的方法，该结构提供有完全掺杂的晶体管源/漏区，同时减少甚至避免硼穿透进入晶体管沟道，从而改善了晶体管的性能。此外，这种晶体管受益于对晶体管沟道施加压应力的SiGe层(401)，从而进一步改善了晶体管的性能。