一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，属于半导体激光器制备技术领域，方法包括在外延片的表面腐蚀出脊型结构，将脊型结构以外区域的P限制层和欧姆接触层全部腐蚀，再将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，然后在窗口区域除去脊型结构以外四面腐蚀到波导层的区域，利用光刻、腐蚀等方法制备出规则形状的图形，再在脊型发光区域利用PECVD、光刻工艺制备电流注入窗口，最后将制备好的样品经过沉积电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。通过波导层折射率的变化对光斑图形的发散角进行改变，限制了腔面附近光的吸收，有效提高大功率半导体激光器的COD阈值，同时约束了发散角，提高了光斑质量。