公开/公告号CN108563801B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司;
申请/专利号CN201711391092.0
申请日2017-12-21
分类号G06F30/367(20200101);G01R31/26(20140101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;陈慧弘
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
入库时间 2022-08-23 12:54:23
机译: 提取寄生电容元模型的方法及提取寄生电容元模型的程序
机译: 具有减小的寄生电容的FinFET的制造方法和由此形成的FinFET结构
机译: 特征量提取方法,测试模式选择方法,电阻模型创建方法和设计电路模式验证方法