一种提取FinFET寄生电阻模型的测试结构和方法

摘要

本发明公开了一种提取FinFET寄生电阻模型的测试结构及方法，所述测试结构包括FinFET器件、位于FinFET器件两端最外侧相邻两个栅极之间源漏区中的第一引出电极V1、第二引出电极V2，位于FinFET器件两端最外侧栅极之外源漏区中的第三引出电极I、第四电极GND，所述第一引出电极V1、第二引出电极V2、第三引出电极I和第四电极GND构成Kelvin测试的四个端头。本发明以BSIMCMG集约模型为核心，通过子电路结构实现FinFET寄生电阻模型的提取，模型架构简单，模型参数提取及拟合方法也非常方便，同时所生成的模型库文件形式与传统的平面CMOS模型库文件非常接近，便于后续设计调用，具有非常重要的应用前景。