机译:使用TCAD工具提取FinFET中的寄生和沟道电阻成分
Globalfoundries, 400 Stonebreak Rd Extn, Malta, NY 12020 USA;
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Globalfoundries, 400 Stonebreak Rd Extn, Malta, NY 12020 USA;
Globalfoundries, 400 Stonebreak Rd Extn, Malta, NY 12020 USA;
Globalfoundries, 400 Stonebreak Rd Extn, Malta, NY 12020 USA;
MicroSemi Corp, Aliso Viejo, CA USA;
Globalfoundries, Singapore, Singapore;
机译:HEMT中栅极偏置相关的寄生电阻和通道迁移率的直流提取
机译:AlGaN / GaN HEMT中访问寄生电阻的全貌提取:对器件线性度和沟道电子速度的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT中访问寄生电阻的全貌提取:对器件线性度和沟道电子速度的影响
机译:先进的接触和结技术,可改善22nm以上节点的FinFET中的寄生电阻和短沟道抗扰度
机译:亚微米MOSFET的寄生电阻建模和提取
机译:用TCAD工具对生物传感设备的ISFET结构进行数值模拟
机译:考虑寄生电容与电阻的FinFET性能优化研究