用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置

摘要

本发明涉及一种用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置，包括：反应器主体，用于处理目标基板；直接产生等离子体区域，其为所述反应器主体内的直接产生等离子体区域，工艺气体流入所述反应器主体内，从而直接感应等离子体；等离子体感应组件，向所述直接产生等离子体区域感应等离子体；基板处理区域，其设在所述反应器主体内，通过混合从所述直接产生等离子体区域流入的等离子体和从所述反应器主体的外部流入的汽化气体来形成反应性物质，并通过所述反应性物质来处理所述目标基板；以及双配气挡板，配置在所述直接产生等离子体区域和所述基板处理区域之间，向所述基板处理区域分配等离子体，将汽化气体分配给所述基板处理区域的中心区域和周边区域。