栅介质层、场效应管的制造方法及场效应管器件

摘要

本发明提供了一种在高k介质层金属栅极(HKMG)整合工艺中，改善栅介质层中氮原子分布的方法，通过在对栅介质层掺氮处理后增加湿法刻蚀工艺，去除其一定厚度的表面部分，使其新裸露出的表面氮原子浓度大于原始表面氮原子浓度，从而改善氮原子在栅介质层表面的浓度分布，避免了因掺氮后阈值电压漂移过大影响功函数的调节。