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杨玉芬; 陈宗圭; 张矩;
中国科学院半导体研究所;
北京工业学院物理系;
MOSFET; 掺杂; 亚微米栅长; 调制;
机译:亚微米栅长MODFET中电子传输参数的提取
机译:优化亚微米栅长调制掺杂FET中的栅漏分离,以实现最大功率增益性能
机译:具有不对称栅凹槽的短栅长InAlAs / InGaAs MODFET:电化学制造和性能
机译:InP和GaAs衬底上亚微米栅长MODFET的载流子传输和电子参数的提取
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用Femtosecond激光器在YBCO薄膜上制造的微米和亚微米尺寸桥的AFM分析
机译:飞秒激光光刻技术在正性光刻胶上制造亚微米T型栅
机译:具有Er掺杂In(0.52)al(0.48)作为缓冲层的0.1微米栅极In(0.3)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp mODFET的背栅特性
机译:亚毫米级导电栅板具有sabumirimetoruapachiya的掩模的制造方法,亚微米级导电栅板具有sabumirimetoruapachiya的掩模和亚毫米级导电栅板
机译:利用多晶硅的热氧化制备具有窄栅长的深亚微米MOSFET的方法
机译:场效应管制造处理特别是亚微米量子线沟道-使用两级电子束抗蚀剂系统,在抗蚀剂层中具有不同的电子曝光灵敏度,并在砷化镓层中形成栅极凹口,并在砷化铝镓沟道层中干刻蚀出孔
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