公开/公告号CN110729205B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 上海先方半导体有限公司;
申请/专利号CN201910871497.7
申请日2019-09-16
分类号H01L21/56(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人李静
地址 200131 上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
入库时间 2022-08-23 12:50:55
机译: 包括带电填充元素的底部填充化合物,具有包括带电填充元素的底部填充化合物的微电子器件以及微电子器件的底部填充方法
机译: 包括带电填充元素的底部填充化合物,具有带电填充元素的底部填充化合物的微电子器件以及微电子器件的底部填充方法
机译: 包括带电填充元素的底部填充化合物,具有带电填充元素的底部填充化合物的微电子器件以及微电子器件的底部填充方法