适合高密度集成的PMUT-on-CMOS单元、阵列芯片及制造方法

摘要

本发明公开一种适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度集成的PMUT‑on‑CMOS单元通过垂直方向的多通道金属连线结构，实现PMUT‑on‑CMOS三维结构，通过TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统PMUT‑on‑CMOS金属互连的瓶颈，极大地降低了金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对PMUT阵列性能的不良影响。