适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法

摘要

本发明公开一种适合高密度系统集成的SOC PMUT、阵列芯片及制造方法，所述适合高密度系统集成的SOC PMUT通过有源晶圆的直接键合，垂直方向的多通道金属连线结构，实现SOC PMUT阵列及其CMOS辅助电路的垂直堆叠，单片集成，并通过TSV延展到封装层面，不再需要通过阵列周边的压焊块与CMOS联通，解除了传统超声换能器金属互连的瓶颈，极大地降低了超声换能器金属互连所占的芯片面积，同时降低了金属布线的长度，以及由此而引起的电学寄生效应对超声换能器阵列性能的不良影响。