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公开/公告号CN107667404B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201680032516.1
发明设计人 S.K.古利安尼;V.普拉格彦;
申请日2016-04-25
分类号G11C13/00(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人毕铮;郑冀之
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:50:00
机译: 非易失性随机存取存储器中的复位电流传送
机译:减小寄生电容导致的由Nio_x组成的电阻型随机存取存储器中复位电流的减小
机译:带有电流感应磁化开关架构的磁性隧道结的非易失性静态随机存取存储器
机译:具有低于30nA复位电流的超低功耗Ni / HfO 2 sub> / TiO x italic> sub> / TiN电阻随机存取存储器
机译:具有超低设置/复位工作电流的新型交叉点单电阻(0T1R)导电桥随机存取存储器(CBRAM)
机译:纳米级非易失性存储器电路设计使用新出现的自旋转移扭矩磁随机存取存储器
机译:基于SiN的电阻式随机存取存储器中与功率和低电阻状态相关的双极性复位开关转换
机译:使用磁隧道的非易失性静态随机存取存储器(NV-sRam) 具有电流感应磁化开关结构的连接点
机译:专为空间应用设计的4 mbit非易失性硫属化物 - 随机存取存储器(预印本)