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非易失性随机存取存储器中的复位电流递送

摘要

本公开的实施例描述用于向非易失性随机存取存储器(NVRAM)(诸如,相变存储器(PCM)设备)提供复位电流的技术和配置。在实施例中,装置可以:包括NVRAM设备;选择镜电路,其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压以选择NVRAM设备的存储器单元;以及复位镜电路,其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压,以复位存储器单元。复位镜电压可以低于选择镜电压,以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。可以描述和/或要求保护其它实施例。

著录项

  • 公开/公告号CN107667404B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201680032516.1

  • 发明设计人 S.K.古利安尼;V.普拉格彦;

    申请日2016-04-25

  • 分类号G11C13/00(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人毕铮;郑冀之

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:50:00

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