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机译:具有低于30nA复位电流的超低功耗Ni / HfO 2 sub> / TiO
Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication DevicesSchool of Electronics Information Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China;
HfO2; LRS nonlinearity; Low power consumption; Resistive Random Access Memory (RRAM); low power consumption; resistive random access memory (RRAM);
机译:基于非晶HfO
机译:基于HfO
机译:基于HfO
机译:温度对低功耗应用中HfO
机译:迈向数据可靠,低功耗和可修复的电阻式随机存取存储器。
机译:HfO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:研究温度对基于ZnO,TiO2,WO3和HfO2的电阻式随机存取存储器(RRAM)器件的影响
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。