一种基于键合工艺的FD-SOI的背面深沟道隔离工艺

摘要

本发明涉半导体技术领域,公开了一种基于键合工艺的FD‑SOI的背面深沟道隔离工艺，通过在在第一芯片的最上层的金属连线层制作M个第一键合Pad、在第二芯片的最上层的金属连线层制作M个第二键合Pad，然后将第一芯片和第二芯片对准键合，使第一芯片上的M个第一键合Pad与第二芯片上的M个第二键合Pad一一电连接，可以减小集成第一芯片和第二芯片时所需用的面积，另外第一芯片中的隔离沟槽和第二芯片中的隔离沟槽上下设置，减小隔离沟槽占整体芯片面积的比例，进而能够减小芯片面积；最后第二芯片在制作通孔层时同时制做深沟道隔离，从而大幅降低芯片制造的成本和周期，同时由浅沟道隔离进化到深沟道隔离增强了芯片器件的隔离效果。