基于SOI全介质隔离工艺的单刀双掷模拟开关芯片设计

目录

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第一章绪论

1.1 SOI全介质隔离技术简介

1.2 模拟开关电路

1.3 SOI CMOS模拟开关

1.4 研究目标

1.5 本文的主要工作

第二章 SOI CMOS 工艺与功率MOS 器件的设计与仿真

2.1 SOI CMOS工艺设计

2.2 功率MOS器件的设计和仿真

2.2.1 功率PMOS的设计和仿真

2.2.2 功率NMOS的设计和仿真

2.3 本章小结

第三章 CMOS 模拟开关芯片电路的设计和仿真

3.1 CMOS模拟开关芯片的内部电路设计

3.1.1 ESD保护电路的设计

3.1.2 输入电路的设计

3.1.3 缓冲级电路的设计

3.1.4 电平转换电路的设计

3.1.5 功率MOS开关电路的设计

3.2 CMOS模拟开关芯片的内部电路仿真

3.2.1 功能仿真

3.2.2 参数仿真

3.3 本章小结

第四章 CMOS 模拟开关芯片的版图设计和测试验证

4.1 CMOS模拟开关芯片的版图设计

4.1.1 ESD保护电路对应版图的实现

4.1.2 输入级电路对应版图的实现

4.1.3 缓冲级电路对应的版图实现

4.1.4 电平转换电路对应版图的实现

4.1.5 功率MOS开关电路对应版图的实现

4.2 CMOS模拟开关芯片测试验证

4.2.1 CMOS模拟开关导通电阻测试

4.2.2 CMOS模拟开关关断漏电流测试

4.2.3 CMOS模拟开关导通漏电流测试

4.2.4 数字控制输入端电流IINH和IINL测试

4.2.5 CMOS模拟开关切换延时 tTRANSITION测试

4.2.4 电源端输入电流ISS和IDD

4.3 本章小结

第五章总结

致 谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果