法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-05-20
授权
授权
2008-01-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-09
公开
公开
机译: 半导体器件的制造方法,包括提供具有表面可用的半导体衬底,以及在衬底表面上包括导电层的层堆
机译: GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,III族氮化物器件,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法