一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法

摘要

本发明涉及一种GaN基LED蓝绿光外延片表面粗化的生长方法，在MOCVD设备的反应室中外延生长，包括：(1)处理衬底；(2)在衬底上生长缓冲层；(3)在缓冲层上依次生长非掺杂氮化镓层和N型氮化镓层；(4)在N型氮化镓层上生长多量子阱结构；(5)在多量子阱结构上生长掺镁的铝镓氮层；(6)在铝镓氮层上生长P型掺镁的氮化镓层；(7)在P型掺镁的氮化镓层上生长MgN层；(8)制备P电极、N电极。本发明通过外延手段对GaN基蓝绿光外延片表面进行粗化，来获得不同粗糙度的表面，通过表面的粗化程度，降低全反射，提高出光效率，减少后续的为达到相同目的而进行繁杂的管芯刻蚀工艺，既节约时间又降低生产成本。