表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟

郑清洪; 刘宝林; 张保平

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表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟

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影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射.根据实际芯片建立LED模型,利用蒙特卡罗方法进行光线追迹模拟,分析了光子的主要损耗对出光效率的影响.计算不同的表面粗化微元,微元尺寸及微元底角对LED光提取效率的影响;比较不同微元形成的光场分布.模拟显示:所设计最佳的表面粗化结构在理想状况下可以提高光提取效率3倍以上.

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来源
《电子器件》 |2008年第4期|1077-1080|共4页
作者
郑清洪; 刘宝林; 张保平;
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作者单位

厦门大学物理系,福建,厦门,361005;

厦门大学物理系,福建,厦门,361005;

厦门大学物理系,福建,厦门,361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 E7280;F7360;P1240;
关键词
GaN基发光二极管; 光提取效率; 表面粗化; 光场; 蒙特卡罗;

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