法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-04-01
授权
授权
2006-03-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-09-01
公开
公开
机译: 用于动态随机存取存储器(DRAM)的混合存储单元,包含具有晶体管结构的特定基板,该晶体管结构具有漏极,源极,控制触点以及漏极和源极之间的沟道区等
机译: 具有源极/漏极扩展区的场效应晶体管的制造和结构,该源极/漏极扩展区的局部浓度最多可达到几个
机译: 使用选择性外延生长层的不对称源极/漏极晶体管的制造方法以及由此制造的不对称源极/漏极晶体管