用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺

摘要

本发明公开了一种用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺，主要包括以下步骤：利用硼扩散工艺，以液态BBr3作为扩散硼源，将硅片放置于扩散炉中，经升温，氧化后，对所述硅片依次进行三步扩散和三次推进处理，各次推进在相应扩散后进行，最终经氧化，降温后完成背钝化过程。本发明所述用于P型晶体硅太阳能电池硼扩散背钝化工艺，可以有效减少电池背面光生少数载流子的复合，降低复合速率，使钝化后的效果更好。同时，改善了硅片方阻的均匀性，降低了方阻方差，提高了开路电压以及转换效率，改善了转换效率的波动性。