公开/公告号CN107768370B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 马维尔亚洲私人有限公司;
申请/专利号CN201710710407.7
发明设计人 I·D·W·梅尔维尔;马克塔·G·法罗;
申请日2017-08-18
分类号H01L27/06(20060101);H01L21/822(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 新加坡新加坡城
入库时间 2022-08-23 12:37:48
机译: 使用氮等离子体和等离子体以及施加到衬底上的射频偏压在半导体衬底上的集成电路结构上蚀刻可控厚度的氧化物的方法
机译: 使用散射测量法在衬底上隔开的测试场中对潜像进行散射测量,从而对半导体衬底上的集成电路结构进行对准过程
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体上的衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像器系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路