在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法

摘要

本发明涉及在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法，其中，一种集成电路(IC)结构使用具有第一侧和相对的第二侧的单个半导体衬底。第一多个主动器件位于单个半导体衬底的第一侧上，而第二多个主动器件位于单个半导体衬底的相对的第二侧上。TSV可以电耦合在任一侧上的主动器件。使用两侧具有主动器件的单个半导体衬底降低了使用半导体层的数量，并且在制造期间允许退火而不损坏BEOL互连。