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一种测定单层二硫化钼弹性模量和泊松比的分子力学方法

摘要

本发明属于计算二维纳米材料技术领域,提供了一种测定单层二硫化钼弹性模量和泊松比的分子力学方法。通过分子力学方法测定了单层二硫化钼的相关力学性质,并给出了该材料的尺寸效应。本发明首先建立了单层二硫化钼的分子力学理论模型,无需建立投影辅助结构模型,直接获得了可以表征任意尺寸单层二硫化钼弹性模量和泊松比的解析表达式。本发明方法不仅可以有效测出单层二硫化钼的弹性模量和泊松比,避免了实验带来的高昂成本,而且结果表明单层二硫化钼随着特征尺寸的增加逐渐由各向异性材料过渡为各向同性材料。这为基于单层二硫化钼材料的应用提供了重要的理论参考。

著录项

  • 公开/公告号CN110020478B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201910276677.0

  • 发明设计人 李东;赵俊飞;叶宏飞;

    申请日2019-04-08

  • 分类号G06F30/25(20200101);G06F119/14(20200101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪;侯明远

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 12:37:26

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