公开/公告号CN105900244B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 威世通用半导体公司;
申请/专利号CN201480072323.X
申请日2014-11-10
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人韩峰;孙志湧
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 12:27:00
机译: 具有具有多个场弛豫沟槽的终端结构的高压沟槽MOS器件
机译: 沟槽MOS装置具有终端结构,具有多个场弛豫沟槽,用于高压应用和相应的制造方法
机译: 沟槽MOS器件具有用于高压应用的带有多个场弛缓沟槽的终端结构