沟槽负斜角终端结构的耐压机理与击穿特性分析

摘要

对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O SFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构。利用ISE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析。结果表明,采用沟槽负斜角终端结构会使功率M O SFET的耐压达到其平行平面结击穿电压的92.6%,而所占的终端尺寸仅为场限环的80%。