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徐传骧;
硅整流器;
机译:衬底偏置对新型硅高压器件结构中击穿特性的影响
机译:SOI高压器件顶部硅层上垂直击穿电压对杂质浓度的新分析模型
机译:超高压高侧薄层绝缘体上硅p沟道低密度金属氧化物半导体的击穿机理分析
机译:使用在线快速斜升偏压测试对高K金属器件的击穿和偏压温度不稳定性的机理了解
机译:硅P-N结击穿时微等离子体传导的机理和影响。
机译:硅微和纳米流体器件的介电击穿的定量评估用于电泳迁移单个DNA分子
机译:抑制表面相关的电击穿长硅电极击穿硅结构的表面相关的电击穿。\ u3c + \ u3c / sup \ u3e- \ u3i \ u3ei / u3e-n \ u3csup \ u3e + \ u3c / sup \ u3e硅结构
机译:用光学探测技术研究半导体器件的表面击穿。
机译:使用多晶硅场板来改善高压双极型器件的击穿电压
机译:具有通过增加LDMOS器件的击穿电压来提高器件耐压性的半导体器件及其制造方法
机译:具有具有低浓度的表面层的耐压支撑区域的三端双向可控硅半导体器件及其制造方法
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