对称参考单元型的STT-MRAM读操作方法及读电路

摘要

本发明公开了一种对称参考单元型的读操作方法及读电路，采用了两个阻值分别为R_L和R_H的参考单元作为数据比较的依据。正负反馈相结合的结构在保证整体电路稳定的前提下有效增加了读电路的读出范围，提高了读操作的可靠性。蒙特卡洛仿真结果显示，当数据支路的MTJ为高阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：440.318～514.61mV，445.649～506.16mV，180.927～275.014mV；当数据支路的MTJ为低阻态时，数据支路和两个参考支路的电压检测节点范围分别为：271.142～389.693mV，256.649～399.283mV，444.124～512.517mV。通过本发明可以在读电流值较小的前提下大幅度增加了读电路的读出范围，可有效提高读操作的可靠性。