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低电阻电极和包括低电阻电极的化合物半导体发光器件

摘要

提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上,包括:反射电极,设置在p型半导体层上,并且反射从有源层发出的光;和凝聚防止电极,设置在反射电极层上,用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20081210 终止日期:20141208 申请日:20041208

    专利权的终止

  • 2013-01-30

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130105 申请日:20041208

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-07-21

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20100611 申请日:20041208

    专利申请权、专利权的转移

  • 2008-12-10

    授权

    授权

  • 2007-01-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-07-13

    公开

    公开

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