高热稳定性低电阻率钴钡掺杂氧化锰薄膜电极材料制备

摘要

通过化学溶液共沉积结合旋涂技术,制备了钴(Co)钡(Ba)掺杂的二氧化锰(MnO2)薄膜电极材料,在微晶玻璃电容器接近击穿时断路,从而起到保护电路的作用.对材料进行表征的结果表明,此种方法制备的Co、Ba掺杂的MnO2其热稳定温度达到850℃,高于纯MnO2薄膜电极的600℃.材料的电阻率下降,在Co含量为8mo1％时,材料的电阻率达到0.207Ω·cm,接近纯MnO2的电阻率.MnO2电极在玻璃基片上附着性良好且厚度均匀.材料的高热稳定性和低电阻率可提高其应用效率.