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反射电极以及包括该反射电极的化合物半导体发光器件

摘要

提供一种反射电极和一种包含这种反射电极的化合物半导体发光器件,例如LED或LD。形成于一p型化合物半导体层上的所述反射电极包括:与所述p型化合物半导体层形成欧姆接触的第一电极层;设置在所述第一电极层上的,由透明导电氧化物构成的第二电极层;以及设置在所述第二电极层上的,由光反射材料构成的第三电极层。

著录项

  • 公开/公告号CN100463237C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电机株式会社;光州科学技术院;

    申请/专利号CN200510054281.X

  • 发明设计人 郭准燮;成泰连;宋俊午;

    申请日2005-03-21

  • 分类号H01L33/00(20060101);H01S5/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-30

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20130105 申请日:20050321

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-06-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20110513 申请日:20050321

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-02-18

    授权

    授权

  • 2007-06-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-08

    公开

    公开

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