在集成电路中形成ANA区域的方法

摘要

本发明涉及在集成电路中形成ANA区域的方法，其中，一种方法包括提供一结构，其具有各自设置于介电堆栈上方的第一硬掩模层、中介层、第二硬掩模层及心轴层。用一心轴掩模将由数个心轴组成的阵列图案化于该心轴层中。用第一截切掩模图案化一ANA沟槽于该心轴层中。用第二截切掩模图案化该ANA沟槽于该中介层中。设置一有机平坦化层(OPL)于该结构上方。蚀刻该OPL以只在该ANA沟槽中设置它，使得该OPL的顶面低于该第二硬掩模层。蚀刻该结构以在该介电堆栈的一介电层中形成一图案，从而在该介电层中形成由数条金属线组成的阵列，该图案中由该ANA沟槽形成的一部分在该介电层内形成一ANA区域。