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基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法

摘要

本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法,它包括以下三个主要步骤:计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求,为FIB加工条件的选择提供依据;对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理;根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括:离子束束流大小的选择;沉积保护层材料及厚度的选择;辅助刻蚀槽的设计和加工;放大倍数的选择及刻蚀图形的设计;半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。

著录项

  • 公开/公告号CN100447945C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN200510126469.0

  • 发明设计人 徐军;章蓓;张振生;代涛;

    申请日2005-12-13

  • 分类号

  • 代理机构北京君尚知识产权代理事务所;

  • 代理人俞达成

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20081231 终止日期:20111213 申请日:20051213

    专利权的终止

  • 2008-12-31

    授权

    授权

  • 2007-08-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-06-20

    公开

    公开

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