法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-02-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20081231 终止日期:20111213 申请日:20051213
专利权的终止
2008-12-31
授权
授权
2007-08-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-06-20
公开
公开
机译: 基于深硅刻蚀模板量子点转移过程的微全色QLED阵列器件及其制备方法
机译: 血管内压力设备结合了使用深反应离子刻蚀技术制造的传感器
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