退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110491943B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN201910706223.2
发明设计人 江安全;柴晓杰;胡校兵;江钧;连建伟;蒋旭;
申请日2019-08-01
分类号H01L29/78(20060101);G11C11/22(20060101);H03K17/687(20060101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人翁惠瑜
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 12:08:31
机译: 垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
机译: 垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直的铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
机译:铁电场效应晶体管中的漏极擦除方案 - 第二部分:用于内存计算的3-D-NAND架构
机译:铁电场效应晶体管中的漏极擦除方案 - 第I部分:器件表征
机译:一种避免在比例缩放的氮化物局部电荷存储闪存单元中过度擦除的新操作方法及其在多级编程中的应用
机译:电场和应变效应表面粗糙度诱导硅场效应晶体管中的旋转弛豫
机译:混合杂交功能中的静电场:场效应晶体管,拓扑绝缘体和热电应用
机译:基于纳米模式石墨烯铁电场效应晶体管的膜晶体管
机译:用于KTaO3场效应的热电场电场调制 晶体管
机译:电子流扼流:场效应晶体管中电流饱和的一种机制