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黎华梅; 侯鹏飞; 王金斌; 宋宏甲; 钟向丽;
湘潭大学材料科学与工程学院 湘潭 411105;
工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 广州 510610;
铁电场效应晶体管; 单粒子瞬态; 单粒子翻转;
机译:铁电厚度变化在未掺杂的HFO2基负电容场效应晶体管中的影响
机译:用于人工智能处理器的铁电栅场效应晶体管的时域模拟加权和计算电路
机译:基于多域Landau-Kalathnikov理论的电路模拟铁电栅极场效应晶体管的紧凑模型
机译:通过使用铁电掺杂Si的HfO2缩小铁电场效应晶体管的尺寸
机译:短沟道Si:HfO2铁电场效应晶体管(FeFET)的设计与仿真
机译:具有HfO2缺陷控制层的单壁碳纳米管为主的微米级条纹图案化铁电场效应晶体管
机译:具有Si掺杂HFO2栅极电介质的铁电场效应晶体管的低频噪声评估
机译:与模拟开关电路相关的结型场效应晶体管特性
机译:垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
机译:垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直的铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
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