机译:垂直铁电场效应晶体管结构,包括一对垂直铁电场效应晶体管的结构,垂直铁电场效应晶体管串,以及横向相对的垂直铁电场效应晶体管对的垂直串
公开/公告号US10153299B2
专利类型
公开/公告日2018-12-11
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US201715398303
申请日2017-01-04
分类号H01L27/11597;H01L27/1159;H01L27/11585;H01L21/02;H01L21/28;H01L29/51;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11578;H01L27/11514;G11C11/22;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:14:38