SOI技术中的NVM装置以及制造相应装置的方法

摘要

本发明涉及SOI技术中的NVM装置以及制造相应装置的方法，在一个态样中，本发明提供一种半导体装置，其包括：衬底结构，包括形成于基础衬底上方的主动半导体材料以及形成于该主动半导体材料与该基础衬底之间的埋置绝缘材料；铁电栅极结构，设于该衬底结构的主动区中的该主动半导体材料上方，该铁电栅极结构包括栅极电极及铁电材料层；以及接触区，形成于该铁电栅极结构下方的该基础衬底中。