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一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取方法

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摘要

本发明公开了一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取技术，采用本发明的技术在设计被测MOSFET晶体管时，还要设计制造一个开路测试结构和短路测试结构，通过这两个专门的测试结构，能够提取测试结构的寄生参数。但是额外的开路测试结构和短路测试结构占据了专门的芯片面积，提高了芯片制造成本。

1. 一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取方法 [P] . 中国专利： CN107895089B . 2021.06.29
2. 一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取技术 [P] . 中国专利： CN107895089A . 2018-04-10
3. MOSFET e.g. N-channel MOSFET, producing method for integrated circuit, involves heating transistor in presence of dielectric material, and forming contact structure over transistor after transistor is heated [P] . 德国专利： DE102008059501A1 . 2010-06-24

机译： MOSFET例如N沟道MOSFET，一种集成电路的制造方法，涉及在存在介电材料的情况下加热晶体管，并在晶体管加热之后在晶体管上形成接触结构。
4. Method of forming integrated circuit devices having n-MOSFET and p-MOSFET transistors with elevated and silicided source/drain structures [P] . 美国专利： US7465634B2 . 2008-12-16

机译：形成具有具有升高的和硅化的源极/漏极结构的n-MOSFET和p-MOSFET晶体管的集成电路器件的方法
5. Method of forming integrated circuit devices having n-MOSFET and p-MOSFET transistors with elevated and silicided source/drain structures [P] . 美国专利： US2008096336A1 . 2008-04-24

机译：形成具有具有升高的和硅化的源极/漏极结构的n-MOSFET和p-MOSFET晶体管的集成电路器件的方法