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一种基于半分析法的MOSFET小信号参数的提取方法

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半分析法应用于提取金属-氧化物半导体场效应晶体管小信号模型的参数,直接提取法应用于测试结构的焊盘电容和寄生电感的参数提取.在频率高达40G的范围内,90nm的MOSFET器件的模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好.

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来源
《2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术》|2016年|148-150|共3页
会议地点上海
作者
周影;
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作者单位

上海市学位委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN386.1:TN307;
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管; 小信号模型; 参数提取; 半分析法;
入库时间 2022-08-17 11:14:50

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