公开/公告号CN108022909B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体(格勒诺布尔2)公司;
申请/专利号CN201710374080.0
申请日2017-05-24
分类号H01L23/552(20060101);H01L23/58(20060101);H01L23/49(20060101);H01L21/60(20060101);H01L21/48(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;张昊
地址 法国格勒诺布尔
入库时间 2022-08-23 11:54:49
机译: 在电子芯片和载体衬底之间形成电连接的方法以及电子设备
机译: 在电子芯片和载体衬底之间形成电连接的方法以及电子设备
机译: 在三维集成结构的集成器件的半导体衬底中产生电连接的方法,包括在位于支柱之间的部分载体上形成层以产生电连接