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表面涂布的方法、用该方法在微电子器件中制造互连的方法,以及集成电路

摘要

本发明涉及给衬底表面涂以金属材料的晶核化膜的方法,所述表面是导电或半导电表面并具有凹陷和/或凸起。该方法包括下列步骤:将一有机薄膜置于所述表面,所述薄膜的厚度保证——该薄膜的自由表面共形地跟随它被放在的所述导电或半导电薄膜的凹陷和/或凸起;将金属材料的前体嵌入到置于所述表面上的所述有机薄膜内,可在将所述有机薄膜置于所述表面的同时或者以后;以及将嵌入到所述有机薄膜内的所述金属材料前体转化为所述金属材料。该方法能制造集成电路、微电子器件中的互连和微系统。

著录项

  • 公开/公告号CN100454501C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿尔齐默股份有限公司;

    申请/专利号CN200480010269.2

  • 申请日2004-02-13

  • 分类号H01L21/48(20060101);H05K3/18(20060101);H05K3/24(20060101);C23C18/18(20060101);H05K3/38(20060101);C23C18/28(20060101);H05K3/10(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘维升;段晓玲

  • 地址 法国马西

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-01-21

    授权

    授权

  • 2006-09-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-02

    公开

    公开

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