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公开/公告号CN110050005B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 日本瑞翁株式会社;
申请/专利号CN201780075900.4
发明设计人 星野学;
申请日2017-12-15
分类号C08F220/22(20060101);C08F212/06(20060101);G03F7/039(20060101);G03F7/20(20060101);
代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人赵曦;刘继富
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 11:47:51
机译: 使用正型抗蚀剂组合物,用于图案形成方法的化合物的正型抗蚀剂组合物和正型抗蚀剂组合物
机译: 树脂,包含树脂的正型抗蚀剂组合物,保护包含树脂的成膜组合物,使用正型抗蚀剂组合物的图案形成方法以及使用保护成膜组合物的图案形成方法
机译: 树脂,包含树脂的正型抗蚀剂组合物,包含树脂的保护膜形成用组合物,使用正型抗蚀剂组合物的图案形成方法的旋转形成方法,以及使用保护膜形成用组合物
机译:日本ZEON正型电子抗蚀剂17 Nametol L / S半间距的新图案分辨率
机译:在正型抗蚀剂上使用超高对比度电子束光刻工艺直接图案化高密度15 nm以下的金点阵列
机译:抗蚀剂涂层膜机,形成相同和图案形成方法的方法,以及半导体器件
机译:不同分子量的聚合物型电子束抗蚀剂图案形成的显影剂分子尺寸依赖性
机译:嵌段共聚物在压缩二氧化碳中的相行为以及作为单畴层纳米光刻抗蚀剂的亚10纳米图案转移
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:具有酸扩增侧链的聚合物作为正型光致抗蚀剂
机译:聚合物自组装单层膜。 3.利用光刻,电化学方法和超薄自组装二乙炔抗蚀剂进行图案转移