一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法，属于半导体薄膜晶体管制备技术领域。该方法采用原子层淀积（ALD）设备，在重掺杂硅衬底上沉积一层氧化铝薄膜，再采用旋涂的方式，将硝酸铟的水溶液均匀涂覆在氧化铝薄膜上，100‑150℃预热10 min后，置于高压汞灯下方10cm处进行1.5 h的光退火，使硝酸铟分解成氧化铟。最后用热蒸发的方式，将铝电极蒸镀到氧化铟薄膜上，得到了具有低亚阈值摆幅的薄膜晶体管。本发明优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，成本低廉，操作简便，材料环保，因采用高压汞灯进行光退火，使得氧化铟薄膜在100℃以下就能制备，且得到的薄膜晶体管亚阈值摆幅较低，工作性能优异。