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薄膜压力传感器中的敏感薄膜及其制作方法和应用

摘要

本发明公开了一种薄膜压力传感器中的敏感薄膜,该敏感薄膜的材料为(NimCr1‑m)1‑x‑yTaxNy;其中,m为0.1~0.9,x为0.05~0.4,y为0.05~0.4。本发明还公开了一种薄膜压力传感器,其包括传感器芯体,该传感器芯体包括:基底;设置在基底上的绝缘层;设置在绝缘层上的图形化敏感膜层;设置在图形化敏感膜层上的四个电极;以及覆盖图形化敏感膜层未被四个电极遮挡的部分的保护层;其中所述图形化敏感膜层即为上述敏感薄膜。本发明还公开了上述敏感薄膜的制作方法。本发明的敏感薄膜较现有技术中的一般用于薄膜压力传感器中的薄膜具有更低的电阻温度系数、更高的热稳定性、以及更高的电阻率和方块电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN109763100B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学苏州研究院;

    申请/专利号CN201910075602.6

  • 申请日2019-01-25

  • 分类号C23C14/06(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);G01L1/18(20060101);G01L9/06(20060101);G01L23/10(20060101);

  • 代理机构44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙伟峰;吕颖

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区林泉街377号公共学院5号楼801室

  • 入库时间 2022-08-23 11:45:25

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