一种共振隧穿二极管及其制作方法

摘要

本发明提供一种共振隧穿二极管及其制作方法。所述共振隧穿二极管包括依次设置的n型GaN衬底层、n⁺GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一Al、N、Ga、N分层结构混合势垒层、GaN量子阱层、第二Al、N、Ga分层结构混合势垒层、第二GaN隔离层、n⁺GaN发射极欧姆接触层、环形电极、圆形电极和钝化层；所述Al、N、Ga分层结构混合势垒层包括Al层、N层和Ga层。本发明能够消除随机合金AlGaN势垒中Al组分分布不均造成的漏电现象。