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基于GaN的共振隧穿二极管

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近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD）有望实现室温下太赫兹波的连续波可调大功率发射,成为氮化物研究一大热点.本文主要研究了GaN/AlGaN共振隧穿二极管的电学特性.分别在蓝宝石衬底和同质衬底上外延生长了AlGaN/GaN双势垒结构,通过标准半导体工艺制备了不同台面的RTD器件.

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来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|22|共1页
会议地点太原
作者
王丁; 杨流云; 盛博文; 陈兆营; 石向阳; 苏娟; 谭为; 张健; 王新强; 沈波;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.2:TN305.8;
关键词
共振隧穿二极管; 分子束外延生长; 氮化镓半导体; 双势垒结构; 电学特性;
入库时间 2022-08-17 11:16:05

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