一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法

摘要

本发明总体地涉及新型二维半导体材料制备技术领域，提供了一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法，它使用化学气相沉积法(CVD)在促进剂碱土金属氯化物的作用下在氧化硅基底上直接生长大尺寸、高质量、高光致发光强度的二硫化钼(MoS₂)和二硒化钼(MoSe₂)单晶或薄膜，该方法包括：生长基底的预处理，旋涂碱土金属氯化物溶液在基底表面，以及三氧化钼与硫或硒在处理后的基底表面发生化学气相沉积法(CVD)制备单层二硫化钼(或二硒化钼)单晶以及连续膜等步骤。本发明方法制备的样品在实现大尺寸单层晶粒制备的同时，具备良好的结晶性和高光致发光效率。