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公开/公告号CN111893565A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;
申请/专利号CN202010770393.X
发明设计人 王珊珊;李守恒;徐淘;江天;程海峰;
申请日2020-08-04
分类号C30B25/00(20060101);C30B29/46(20060101);
代理机构43225 长沙国科天河知识产权代理有限公司;
代理人邱轶
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2023-06-19 07:58:45
机译: 用于制造FET的单层二硫化钼的装置和使用单层二硫化钼的FET制造方法
机译: 可扩展合成二硫化钼单层和多层膜的方法
机译: 可分级合成二硫化钼单层和几层膜的新方法
机译:种子促进剂对CVD生长的单层二硫化钼性能的影响
机译:利用基于自组装单层的栅极电介质制造二硫化钼场效应晶体管
机译:化学气相沉积法制得的单层二硫化钼和二硒化物的生长
机译:二硫化钼,二硒化钼和钼与铜铟(硫化物,硒化物)之间形成的钼(硫化物,硒化物)的生长和表征。
机译:通过参数优化的化学气相沉积法实现面向应用的二硫化钼(MoS2)单层生长
机译:二硫化钼单层膜的mn促生长和光致发光
机译:生长条件对单层二硫化钼测量电性能的影响。