氢氧根辅助大面积单层二硫化钼在不同衬底上的生长

摘要

二硫化钼是一种典型的二维材料,因为其优异的电学、光学性能和良好的机械柔韧性引起人们的广泛关注1。单层二硫化钼由于高的载流子迁移率和超薄的厚度,被广泛应用在半导体场效应管和光探测器中2,生长大面积高质量的单层二硫化钼也一直是大家的研究目标。目前制备大面积单层二硫化钼的主流方法还是化学气相沉积法(CVD),主要通过引入氧气3、改变衬底4、添加生长促进剂5等方法减少成核点,从而生长大尺寸的单层二硫化钼。但是在二硫化钼的生长过程中很难避免受到衬底表面和环境当中杂质的影响,从而导致生长出的二硫化钼存在较多缺陷和尺寸较小的问题6。