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一种高填充因子的红外探测器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高填充因子的红外探测器结构,包括设于衬底之上的微桥结构,微桥结构包括微桥桥面及支撑和电连接孔,微桥桥面自下而上依次设有第一释放保护层、红外敏感层、第一金属电极层和第二释放保护层,支撑和电连接孔的内壁表面上依次设有第二金属电极层、第三释放保护层,第二金属电极层自支撑和电连接孔的内壁顶部开口引出,并与第一金属电极层相连,第二金属电极层通过支撑和电连接孔的底部开口与衬底实现电性连接,第三释放保护层自支撑和电连接孔的内壁上端开口部引出,并与第二释放保护层相连。本发明能够在提高填充因子的同时,进一步提升产品性能。本发明还公开了一种高填充因子的红外探测器结构的制作方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110120437B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;

    申请/专利号CN201910359028.7

  • 发明设计人 康晓旭;

    申请日2019-04-30

  • 分类号H01L31/101(20060101);H01L31/02(20060101);

  • 代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华;张磊

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

  • 入库时间 2022-08-23 11:42:58

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