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一种高填充因子的红外探测器结构

摘要

本发明公开了一种高填充因子的红外探测器结构,自下而上包括:位于第一层的半导体衬底,位于第二层的第一导电梁和第二导电梁,以及位于第三层的微桥桥面;所述第一导电梁和第二导电梁分设有第一连接端和第二连接端,所述第一导电梁的第一连接端下表面和第二导电梁的第一连接端下表面分别通过一个第一导电支撑柱连接所述半导体衬底的上表面,所述第一导电梁的第二连接端上表面和第二导电梁的第二连接端上表面分别通过一个第二导电支撑柱连接所述微桥桥面的下表面。本发明能够在提高填充因子的同时,让第一导电支撑柱、第二导电支撑柱以及第一导电梁、第二导电梁等结构使用更大的面积空间,从而进一步提升产品性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110361096B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;

    申请/专利号CN201910560491.8

  • 发明设计人 康晓旭;

    申请日2019-06-26

  • 分类号G01J5/10(20060101);

  • 代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华;张磊

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

  • 入库时间 2022-08-23 12:24:01

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